La espintrónica puede tener un impacto radical en los dispositivos de almacenamiento masivo; científicos de IBM anunciaron en 2002 la compresión en un área diminuta de cantidades enormes de datos, alcanzando una densidad de aproximadamente 155.000 millones de bits por cm²
Mientras la electrónica convencional sólo explota el fenómeno
de la carga del electrón, la espintrónica aprovecha también la capacidad de estas partículas de rotar alrededor de un eje imaginario, denominada espín.
En los Nmetales ferromagnéticos, cada electrón tiene asociado un pequeño imán, el espín, una brújula que puede girar a la derecha o a la izquierda. Por tanto, la orientación del espín en materiales nanométricos multiplica la potencia de la información manejada.
En menos de 20 años, añade Fert, la espintrónica no sólo ha permitido incrementar considerablemente la capacidad de los discos duros con cabezales más sensibles. En el año 2006, la magnetorresistencia de efecto túnel permitió obtener nuevos materiales con una mayor capacidad de almacenamiento y desarrollar la primera memoria magnética (MRAM), otro candidato electrónico al éxito comercial en los ordenadores.
Las MRAM son memorias no volátiles que almacenan los datos en elementos magnéticos, mientras que las RAM utilizadas masivamente en la informática lo hacen como carga eléctrica o flujos de corriente.
Próximamente veremos esta nueva disciplina en la generación de fuentes de microondas para equipos de telecomunicaciones como los teléfonos móviles, ámbito que investiga Fert. “La transferencia de espín es un fenómeno que se basa en el hecho de inyectar corrientes de electrones polarizados en espín; es decir, que todos los electrones tienen el mismo valor de espín y esto da lugar a una transfusión de imantación, como si fuera una transfusión de sangre. Así, estas pequeñas brújulas que son los electrones con su espín pueden llegar a inducir movimientos oscilatorios de estos pequeños imanes, y esto produce la emisión de microondas”
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